전력소비량 작고 동작속도 빨라… 올해 하반기 양산 돌입 [시민일보] 삼성전자가 세계 최초로 40나노급 대비 15% 50나노급 대비 30% 소비전력이 절감되고 60나노급 대비 약 3배, 40나노급 대 40% 동작속도가 빠른 30나노급 2Gb DDR3 D램 개발에 성공했다.

따라서 삼성전자는 앞으로 30나노급 D램에 혁신적인 설계 기술을 적용해 업계 최고의 데이터 처리 속도를 구현한다.

삼성전자는 30나노급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 개발, 올해 하반기부터 양산에 들어갈 예정이라고 1일 밝혔다.

30나노급 D램은 지난해 1월 40나노급 D램을 개발한 뒤 1년만에 차세대 공정을 적용해 개발한 것으로, 그 동안 업계는 D램의 셀 구조상 현재의 생산 공정에서 40나노급 D램이 한계로 여겨왔다.

그러나 삼성전자는 40나노급 D램을 개발한 지 1년만에 이 한계를 극복하고 30나노급 D램 공정 개발에 성공했다.

30나노급 D램은 40나노급 D램에 비해 약 60%의 생산성을 증가시킬 수 있으며 50~60나노급 D램에 비해 원가 경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있다.

특히 50나노급 D램과 비교해 소비전력을 약 30% 정도 절감할 수 있으며, 40나노급 D램에 비해서는 15% 이상 소비전력을 줄일 수 있다.

실례로 노트북에 30나노급 4GB(기가바이트) D램 모듈을 사용하면 시간당 전력 소비량은 약 3W(와트) 정도로 가정용 형광등 1개의 약 10%에 불과한데, 이는 노트북 전체 소비전력의 3% 수준에 해당한다.

따라서 30나노급 공정 개발은 DDR3 시장 확대에 맞춰 친환경 제품으로 서버에서부터 노트북까지 '그린 메모리'의 판매비중을 확대할 수 있다는 장점이 있다.

여기다 30나노급 D램은 PC 솔루션에서 DDR3 1.5V 1.866Gbps 동작 속도가 60나노급 DDR2 D램의 600Mbps(Mega-bit Per Second; 초당 600메가비트) 대비 약 3배, 40나노급 DDR3 D램의 1.333Gbps보다는 40%나 빠르다.

삼성전자는 지난해 12월 30나노급 2Gb DDR3 D램 단품과 노트북용 2GB 모듈 제품 샘플을 고객들에게 보내 지난 1월 중순 평가 완료했다.

삼성전자 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 "삼성전자가 지난해 40나노 2Gb DDR3 제품을 개발한 데 이어, 이번에 30나노급 2Gb DDR3 제품을 성공적으로 개발함으로써 제조 경쟁력의 격차를 1년 이상, 한 걸음 더 벌려 놓았다."며, "30나노급 D램은 최고 성능의 친환경 솔루션을 제공하는 제품으로, 고객들과의 윈윈 관계를 더욱 강화시키는데 크게 기여할 것이다. 이를 발판으로 세계 D램 시장의 성장과 함께 시장점유율을 지속적으로 확대해 나갈 것이라고 밝혔다.

한편 삼성전자는 향후 업계 최고의 기술력을 발휘해 차세대 D램을 선행 개발하고, 대용량 저전력 제품으로 고부가가치 D램 시장을 적극 확대하는 한편 고객의 수요에 적극적으로 대응하여 D램 시장 성장을 견인해 나갈 계획이다.

용인=오왕석 기자[email protected]

[저작권자ⓒ 시민일보. 무단전재-재배포 금지]