삼성전자는 17일 ‘3D-TSV(실리콘 관통전극)’ 기술을 적용한 초고속 엔터프라이즈 서버용 32GB(기가바이트) D램 모듈을 개발했다고 밝혔다.

3D-TSV 기술은 수십 마이크로미터(㎛) 두께로 얇게 만든 실리콘칩에 직접 구멍을 뚫고, 동일한 칩을 수직으로 쌓아 관통전극으로 연결한 첨단 반도체 패키징 기법으로, 속도와 용량 등 반도체 성능을 한층 향상시킬 수 있다.

기존 32GB RDIMM 제품이 탑재된 서버가 800Mbps로 동작하는데 비해, 이번 3D-TSV 32GB RDIMM 제품은 기존 서버 대비 67% 빠른 1333Mbps까지 고속 동작을 구현할 수 있다. 또 소비전력이 대용량 서버에 사용되는 30나노급 32GB LRDIMM 보다 30% 이상 절감한 시간당 4.5W로서, 현재까지 나온 엔터프라이즈 서버용 D램 모듈 제품 중 가장 낮은 수준이다.