하이닉스반도체가 올해 수익성 1위 탈환을 위해 연구개발(R&D) 투자를 매출액 대비 8% 수준까지 끌어올린다. 또 내년에는 이 비율을 10%까지 높일 계획이다.

하이닉스는 10일 경쟁우위의 기술개발과 지속성장을 위한 미래기술을 확보하는 한편, 고효율·저비용 구현을 위한 업무혁신과 창조적 연구역량을 강화할 것이라고 밝혔다.

기술경쟁력 우위 확보를 위해 D램은 신규 기술이 전개될 때마다 웨이퍼 1장에서 생산 가능한 칩수(Net Die)를 45% 이상 증가시키고 공정기술 개발기간도 1분기 이상 단축시킬 예정이다. 또 신제품의 공정증가율을 최소화하고 54나노 1Gb DDR2 제품을 이르면 2분기에 개발해 3분기부터 양산할 계획이다. 44나노 1Gb DDR3 제품도 올해 개발에 착수해 내년 상반기에 완료한다는 방침이다.

낸드 플래시는 48나노에서 20나노까지의 기술 개발을 연속선상에서 동시에 진행해 연구개발의 효율성을 증대하고 적기에 제품을 개발한다. 이에 따라 업계 최초로 40나노급 공정인 48나노 제품을 1분기에 개발해 2분기부터 양산하고 41나노 제품도 연말에 개발해 업계 선도회사로 도약한다는 목표를 세웠다.

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