삼성전자가 대용량 스토리지용 20나노급 64Gb 3bit 낸드플래시를 이번 달부터 양산하기 시작했다.

삼성전자는 지난해 11월 세계 최초로 30나노급 32Gb 3bit 낸드플래시를 양산한데 이어 이번에 용량이 두 배로 커진 20나노급 64Gb 3bit 낸드플래시를 세계 최초로 양산하게 됐다고 13일 밝혔다.

20나노급 64Gb 3bit 낸드플래시는 30나노급 32Gb 3bit 제품에 비해 생산성이 60% 이상 높다는 것이 삼성전자의 설명이다. '토글(Toggle) DDR 1.0' 방식을 적용해 속도도 매우 빠르다.

또 하나의 칩으로 8GB의 데이터를 저장할 수 있는 메모리 용량을 구현할 수 있다. 이에 따라 기존 32Gb 3bit 낸
드플래시 시장을 빠르게 대체해 대용량 메모리 시장 확대에 기여할 것으로 전망된다.

김세진 삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 상무는 "20나노급 64Gb 3bit 낸드플래시 양산으로 대용량 메모리 수요가 급증하고 있는 스마트폰, 태블릿PC, SSD에 이어 USB 플래시 드라이브, SD카드 등과 같은 대용
량 메모리제품 시장을 확대해 나갈 수 있는 솔루션이 강화됐다"고 말했다.

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