차세대제품 R&D에 투자 늘려 기술경쟁력 강화키로 하이닉스반도체가 올해 투자금액을 확대한다.

하이닉스는 올해 투자금액과 관련해 기존 2조3000억 원에서 7500억 원 늘어난 3조500억 원으로 확대한다고 31일 공시했다.

하이닉스는 "견조한 수요를 바탕으로 최근 메모리반도체 시장환경이 변화되고 있는 가운데 서버·그래픽·모바일 등 고부가가치 제품에 대한 고객 요구에 적극적으로 대응하기 위한 것"이라고 투자확대 배경을 설명했다.

또 차세대 제품 개발을 위한 연구개발(R&D)에도 투자를 확대해 기술경쟁력을 강화한다는 전략이다.

하이닉스는 이번 투자로 40나노급 D램 공정전환을 가속화한다는 방침이다. 현재 경쟁사 대비 약 15% 수준인데, 연말까지 약 50% 수준으로 확대할 예정이다. 40나노급 D램은 50나노급 대비 생산성이 50% 이상 향상돼, 원가경쟁력 및 기술경쟁력 강화 등이 기대된다.

이 같은 하이닉스의 공격투자는 삼성전자가 올해 반도체에만 11조 원을 투자하겠다고 발표한 것과 무관치 않은 것으로 풀이된다. 하이닉스의 주력인 메모리반도체를 삼성전자가 '독식'할 수 있는 상황이 있을 수 있다는 것.

이와 함께 이번 투자 발표는 업황 및 기술력에 대한 자신감으로도 읽힌다.

최근 업계 및 시장 일각에서는 반도체 공급과잉 우려가 나오기도 하지만, 사실상 주력인 DDR3 D램에서는 삼성전자와 하이닉스 등 국내업체들이 절대우위인 덕에 그 영향이 크지 않을 것으로 관측된다. 오히려 프리미엄 제품의 시장 지배력을 높이는 계기가 될 것이란 풀이다.

비슷한 맥락에서, 권오현 삼성전자 반도체사업부장(사장)은 지난 27일 서울 장충동 신라호텔에서 열린 세계반도체협의회(WSC) CEO 회의에서 취재진과 만나 "공급과잉이 올해 안에는 일어나지 않을 것으로 본다"라고 말했다.

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