3분기 양산 개시… 경쟁력 1~2년 앞서 삼성전자는 4일 세계 최초로 40나노급(1나노 :10억분의 1㎙) 공정을 적용한 DDR2 D램 제품을 개발했다고 밝혔다.

삼성전자는 2005년 10월 역시 세계 최초로 60나노급 D램을 개발한 데 이어 2006년 9월 50나노급 D램, 올해 40나노급 D램 제품 개발에 성공하는 등 D램 기술을 선도해왔다.

특히 이번 40나노급 DDR2 제품은 D램 공급 업체 중 유일하게 작년 12월 인텔에 단품 채용 평가를 완료한데 이어 올해 1월 1기가바이트(GB) DDR2 SoDIMM(노트북등 소형 SET에 사용되는 메모리 모듈)까지 2종의 제품 채용 평가를 완료 했다.

삼성전자는 이번에 개발한 40나노급 1기가 DDR2 D램 개발 기술을 적용해, 40나노급 2기가 DDR3 제품을 올해 개발 완료하고 3분기에 양산도 개시할 예정이다.

삼성전자는 40나노급 2기가비트 DDR3 D램이 지난해 9월 양산을 시작한 50나노 2기가비트(Gb) DDR3 D램에 비해 생산성을 약 60% 향상시킬 수 있어, 현재 50~60 나노급 D램을 양산하고 있는 D램 업체보다 제조 경쟁력의 격차를 1~2년 이상으로 벌릴 수 있을 것이라고 설명했다.

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