연간 로열티 5억달러 절감효과 삼성전자와 하이닉스가 차세대 반도체 시장을 겨냥한 기술협력을 선언했다.

삼성전자와 하이닉스는 ’차세대 메모리 공동 R&D’, ‘반도체산업 표준화’, ‘장비·재료 국산화 확대’등 ‘반도체 3대 기술협력’을 추진하기로 합의했다고 25일 밝혔다.

삼성전자와 하이닉스는 이번 협력 중 테라비트급 차세대 반도체 원천기술 개발을 위한 공동 R&D를 오는 9월부터 본격 개시할 계획이라고 밝혔다. 양사는 오는 2012년 시장이 형성될 것으로 예상되는 유력 차세대 메모리 ‘STT-MRAM’을 중점 개발할 계획으로, 향후 원천기술을 선점하게 되면 한 해 5억 달러 이상의 로열티 효과가 발생하게 된다.

그간 우리 업계는 메모리 세계 1위에도 불구하고 핵심 원천기술은 여전히 해외에 의존해왔다. 때문에 미국의 샌디스크와 램버스, 일본의 도시바 등에 매년 수억 달러의 특허료를 지불해왔다.

반도체 업계의 포괄적 기술협력 전략을 추진하고 있는 지식경제부는 “지난 90년대 삼성과 현대, LG가 공동으로 세계 최초로 64M D램을 개발하는 등 공동 R&D를 통해 메모리 1위로 도약한 것처럼 이번 협력 역시 2010년대 차세대 메모리 1위로 나아가는 중요한 계기가 될 것”이라고 전망했다.

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