하이닉스, 10월부터 양산 하이닉스반도체(대표이사 김종갑 www.hynix.co.kr)는 세계 최초로 3중셀 기술을 적용한 32GB 낸드플래시 메모리 개발에 성공했다고 3일 밝혔다.

3중셀은 하나의 셀에 세 개의 정보를 담을 수 있는 획기적인 기술이다. 현재까지는 한 셀에 두 개의 정보를 담을 수 있는 멀티레벨셀까지 개발된 상태다.

하이닉스는 이번에 개발한 3중셀 제품이 기존의 멀티레벨셀 제품에 비해 칩의 면적을 30% 이상 축소해 원가가 절감된다고 설명했다.

하이닉스는 이 기술을 기반으로 16GB 양산 적용에 한정됐던 48나노 공정기술을 32GB 제품까지 확대 적용해 오는 10월부터 양산에 들어갈 예정이라고 밝혔다.

하이닉스는 이 제품이 인텔, 소니, 마이크론 등이 주도하고 있는 낸드플래시 그룹인 ONFI의 규정을 따른 세계 최초의 BA낸드플래시(Block Abstracted : 낸드플레시안에 컨트롤러가 장착돼 기능을 제어하는 낸드플래시) 제품이라고 설명했다.

낸드플래시는 D램과 달리 전원이 끊어져도 저장된 정보를 그대로 보존할 수 있고 정보의 입출력도 자유로워 디지털TV, 디지털 캠코더, 디지털 카메라, 이동통신단말기, PDA, MP3 플레이어, 게임기, 내비게이션 등에 널리 사용되고 있다.

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