삼성전자 삼성전자가 세계 최초로 차세대 패키지 기술(WSP, Wafer-Level Processed Stack Package)을 적용한 D램 개발에 성공하며 기존 D램 패키지의 기술 속도 한계를 극복했다.

삼성전자는 세계 최초로 관통전극형(Through Silicon Via) 칩 접속 방식인 WSP 기술을 적용한 4단 적층 D램 칩과 모듈 개발에 성공했다고 23일 밝혔다.

이번에 개발된 제품은 512Mb(Mega bit, 메가 비트) DDR2 D램을 4개 적층한 2Gb 대용량 D램 적층칩과 4GB(Giga Byte, 기가 바이트) 모듈이다.

WSP 기술은 기존 패키지 방식인 MCP(Multi Chip Package)에 비해 패키지 사이즈는 소형화하고, 용량.스피드.저소비전력 등 성능은 대폭 개선하는 복합칩 기술이다.

WSP는 칩을 수직 관통하는 홀(Hole)을 통해 “칩간 직접 접속”하는 패키지 방식으로, 칩 상하간에 별도의 간격이나 와이어 연결을 위한 공간이 불필요해 패키지 크기를 줄이고 성능을 높일 수 있다.

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