삼성전자, 업계 최초 삼성전자가 업계 처음으로 80나노(1나노=10억분의 1m, 머리카락 굵기의 10만분의 1) 공정을 적용한 1기가 DDR2 D램을 본격 양산한다고 29일 밝혔다.
이번에 양산을 시작하는 80나노 1기가 D램은 기존 90나노 1기가 D램의 절반 사이즈 (11㎜×11.5㎜) 인 세계 최소형 1기가 D램 제품이다.
특히 1기가 D램에 80나노 공정을 적용하면 90나노 공정 대비 생산성이 50% 정도 향상돼 원가 경쟁력을 대폭 강화할 수 있다.

1기가 D램은 현재 양산되고 있는 D램 중 최대 용량의 제품으로 주로 차세대 서버용 4기가 바이트 모듈 (FBDIMM:Fully Buffered Dual Inline Memory Module)과 노트북용 2기가 바이트 모듈 (SODIMM: Small Outline Dual Inline Memory Module) 등 대용량 메모리 모듈 제작에 사용되고 있다.
하지만 기존 90나노 1기가 D램으로 4기가 바이트 메모리모듈과 같은 대용량 모듈을 만들기 위해서는 D램 단품 2개를 적층해 모듈에 탑재해야 하는 등 공정이 비교적 복잡한 단점이 있었다.
삼성전자의 세계 최소형 80나노 1기가 D램의 경우, 칩 적층과 같이 복잡한 구조 대신 모듈 위에 단순히 2열로 배치할 수 있게 됨으로써 공정이 단순해지고, 제조비용도 대폭 절감할 수 있다.

한편, 삼성전자는 80나노급 제품으로는 업계에서 유일하게 80나노 512메가 DDR2 단품 및 모듈에 대해 인텔 인증을 획득하는 등 기술의 우수성도 인정 받고 있다.
삼성전자 관계자는 “1기가 D램에 업계 최초로 80나노 공정 적용을 시작함으로써 향후 대용량 D램 시장 주도권도 지속적으로 유지해 나갈 것으로 전망된다.”고 밝혔다.
/최원만 기자 [email protected]

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