삼성전자는 D램 시장의 주력 제품으로 빠른 성장세를 보이고 있는 DDR2 제품보다 동작속도, 전력소모 등 제품 성능이 한층 향상된 새로운 규격의 DDR3 D램을 업계 최초로 개발했다고 밝혔다.

17일 삼성전자에 따르면 DDR, DDR2 등 차세대 D램 제품의 앞선 개발과 표준화를 주도해 온 데 이어 이번에 DDR3 D램까지 세계최초로 개발함으로써 3세대 연속 신규 제품의 표준을 주도하게 됐다고 밝혔다.

삼성전자가 이번에 개발한 DDR3 D램은 최첨단 80나노 공정을 적용한 512Mb(Mega bit)의 대용량 제품으로, 세계반도체표준협회(JEDEC)의 DDR3 표준 규격을 지원하는 최초의 D램이다.

이 제품은 특히 ▲구동기 자동 보정기술(Self Driver Calibration) ▲데이터 전송 동기화 기술(Data Synchronization) 등 초고속 동작을 위한 신기술이 적용돼, DDR 대비 4배, DDR2 대비 2배에 이르는 기가급(1066Mbps) 동작속도(핀당)를 구현한다.

또 메모리 제품 중에서는 처음으로 1.5V의 저전력 동작이 가능해, 1.8V의 전압에서 동작하는 DDR2에 비해서도 약 20% 정도 전력소모를 줄일 수 있는 초저전력 메모리 제품이다.

/추경호 기자 [email protected]

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