국내 대학연구팀 개발 컴퓨터 등에 사용되는 메모리반도체(D램)보다 집적도를 1000배 이상 높일 수 있는 자성반도체 양자점 제조기술이 국내 연구진에 의해 개발됐다. 이 기술이 상용화되면 기존 슈퍼컴퓨터로 20년이 걸리는 연산을 수분만에 처리할 수 있으며 일반 컴퓨터 크기를 지닌 ‘양자컴퓨터’ 개발도 가능하다.

7일 동국대 물리학과 강태원(55·사진)교수팀은 상온에서 자성(磁性)을 유지하는 반도체 제조기술을 개발해 현재 세계 각국에 특허를 출원중이라고 밝혔다.

이 기술은 ‘InMnAs’란 물질을 이용해 기존 반도체에 비해 집적도가 높으면서 상온에서도 자성을 유지할 수 있는 반도체를 만들 수 있는 것이다.

전문가들은 이번 신기술은 기존에 3차원으로만 구현할 수 있던 것에서 양자점 형태의 0차원 자성반도체를 세계 최초로 구현해 냄으로써 20년후면 집적도 면에서 한계에 다다를 것으로 보이는 현재의 D램을 대체할 수 있는 집적도 1000배 이상의 ‘포스트 D램’을 만들 수 있는 가능성이 열렸다고 설명했다.

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