하이닉스반도체가 내년초 16기가 낸드플래시 양산을 시작한다. 16기가 양산은 삼성전자, 도시바에 이어 세번째이지만 하이닉스는 48나노를 적용할 예정이어서 두 회사보다는 생산성이 높을 것으로 예상된다.

하이닉스는 4일 최근 48나노 공정을 적용한 16Gb(기가비트) 멀티레벨셀(MLC) 낸드플래시 제품 개발을 끝내고 이달 중 샘플을 글로벌 고객사에 공급한다고 밝혔다. 이어 내년 1월에 본격적으로 양산을 시작할 예정이다.

16기가 양산은 삼성전자와 도시바에 이어 세번째다.

삼성전자는 지난 4월말에 51나노 공정으로, 도시바는 올 하반기에 56나노 공정으로 각각 16기가 낸드플래시 양산을 시작한 바 있다.

하이닉스의 16기가 양산이 의미를 갖는 것은 두 회사보다 좀더 미세회로 공정인 40나노급으로 시작한다는 점이다. 40나노급 16기가 양산은 하이닉스가 세계 최초다.

48나노 제품은 하이닉스가 현재 양산중인 60나노 제품에 비해 생산성이 90%, 57나노에 비해서는 60% 이상 각각 향상된다고 하이닉스는 밝혔다. 특히 삼성전자와 도시바에 비해서는 각각 10%, 20% 정도 생산성이 높다는게 하이닉스의 설명이다.

하이닉스는 내년 1월 투입되는 웨이퍼 기준으로 수천장 선에서 양산을 시작해 1분기 안에 월 평균 1만5000~2만장 규모까지로 생산량을 늘릴 방침이다.

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